-
1 поле предварительной зарядки частиц на холодной стороне (электрофильтра)
поле предварительной зарядки частиц на холодной стороне (электрофильтра)
—
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > поле предварительной зарядки частиц на холодной стороне (электрофильтра)
См. также в других словарях:
поле предварительной зарядки частиц на холодной стороне (электрофильтра) — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN cold precharging stage … Справочник технического переводчика
Dynamic random-access memory — DRAM redirects here. For other uses, see Dram (disambiguation). Computer memory types Volatile RAM DRAM (e.g., DDR SDRAM) SRAM In development T RAM Z RAM TTRAM Historical Delay line memory Selectron tube Williams tube … Wikipedia
Dynamic random access memory — (DRAM) is a type of random access memory that stores each bit of data in a separate capacitor within an integrated circuit. Since real capacitors leak charge, the information eventually fades unless the capacitor charge is refreshed periodically … Wikipedia